54
De keuze van de schakelfrequentie van de omvormer is een compromis tussen
verliezen in de motor (sinusvorm van motorstroom) en verliezen in de omvormer. Als de
schakelfrequentie toeneemt, nemen ook de verliezen in de omvormer toe, afhankelijk van
het aantal halfgeleidercircuits.
Hoogfrequente transistoren zijn onder te verdelen in drie hoofdtypen:
• Bipolair (LTR)
• Unipolair (MOSFET)
• Bipolair met geïsoleerde poort (IGBT)
Tabel 2.2 Vergelijking van kenmerken vermogenstransistoren toont de belangrijkste
verschillen tussen MOSFET-, IGBT- en LTR-transistoren.
Kenmerken
Symbool
Ontwerp
Geleiding
Elektrisch geleidingsvermogen
Verliezen
Spercondities
Hoge begrenzing
Schakelcondities
Inschakeltijd
Uitschakeltijd
Verliezen
Stuurcondities
Vermogen
Driver
Tabel 2.2 Vergelijking van kenmerken vermogenstransistoren
IGBT-transistoren zijn een goede keuze voor FC's wat betreft vermogensbereik, goede
geleiding, hoge schakelfrequentie en eenvoudige regeling. Ze combineren de kenmerken
van MOSFET-transistoren met de uitgangseigenschappen van bipolaire transistoren. De
feitelijke schakelcomponenten en omvormerregeling worden gewoonlijk gecombineerd
tot één module die een "intelligente vermogensmodule" (IPM – intelligent power module)
wordt genoemd.
MOSFET
Laag
Hoog
Laag
Kort
Kort
Onbeduidend
Middel
Spanning
Frequentieomvormers
Halfgeleider
IGBT
Hoog
Onbeduidend
Hoog
Middel
Middel
Middel
Middel
Spanning
LTR
Hoog
Onbeduidend
Middel
Middel
Laag
Hoog
Hoog
Stroom