Inhoudsopgave
Advertenties
Model S4000TH
9.0 Bijlage
9.1 Garantie
General Monitors garandeert dat de S4000TH vrij is van defecten in fabricage of materiaal bij
normaal gebruik en onderhoud voor een periode van twee jaar vanaf de verzenddatum.
General Monitors zal defecte apparatuur waarop nog garantie is, kosteloos repareren of
vervangen. Bepaling van de aard van en verantwoordelijkheid voor defecte of beschadigde
apparatuur geschiedt door het personeel van General Monitors.
Defecte of beschadigde apparatuur moet worden verzonden naar de fabriek van General
Monitors of naar de vertegenwoordiger van waaruit de apparatuur was verzonden. Deze
garantie is in alle gevallen beperkt tot de kosten van apparatuur geleverd door General
Monitors. De klant aanvaardt alle aansprakelijkheid voor verkeerd gebruik van deze apparatuur
door diens werknemers of ander personeel.
Alle garanties zijn onder voorwaarde van correct gebruik bij de toepassing waarvoor het
product was bedoeld en dekken geen producten die zijn veranderd of gerepareerd zonder
toestemming van General Monitors, of die onderworpen zijn geweest aan verwaarlozing,
ongevallen, onjuiste installatie of toepassing, of waarvan de originele identificatiemarkeringen
zijn verwijderd of veranderd.
Met uitzondering van de uitdrukkelijke garantie die hierboven vermeld wordt, wijst General
Monitors alle garanties op verkochte producten af, inclusief alle geïmpliceerde garanties van
verkoopbaarheid en geschiktheid en de uitdrukkelijke garanties hierin vermeld zijn in plaats van
alle verplichtingen of aansprakelijkheden aan de kant van General Monitors voor schade
inclusief maar niet beperkt tot gevolgschade voortvloeiend uit of in verband met de prestatie
van het product.
9.2 Werkingsprincipe
General Monitors gebruikt een gepatenteerde halfgeleider bestaande uit een laag metaaloxide
(MOS – Metal Oxide Semiconductor) voor de detectie van zwavelwaterstofgas (H
S). De MOS-
2
laag is met twee elektroden bevestigd op een substraat. Als er geen gas aanwezig is de
gemeten weerstand tussen beide elektroden zeer hoog (enkele mega-ohm). H
S absorbeert de
2
laag en de weerstand tussen de twee elektroden daalt (tot kilo-ohm). Deze weerstandsdaling is
logaritmisch evenredig aan de aanwezige H
S-concentratie.
2
De weerstandsverandering wordt omgezet in een spanningswijzing en versterkt door een
ingangsschakeling. Dit versterkte signaal wordt naar een analoog/digitaal-omvormer (A/D)
gestuurd, omgezet in een digitaal signaal en naar een microprocessor gestuurd om te worden
verwerkt. Het proces van de H
S-adsorptie op de MOS-laag is het meest effectief bij een
2
verhoogde temperatuur. Daarom bevindt zich aan de buitenkant van het substraat een
verwarmingsring. De temperatuur van deze verwarmingsring wordt gemeten door een
thermistor en constant gehouden door een schakeling in de sensor.
Als de H
S-adsorptie op de laag plaatsvindt bewegen de elektronen vrijer van een elektrode
2
naar de andere. Dit vertegenwoordigt een weerstandsverlaging. Het proces van H
S-adsorptie
2
op de MOS-laag is volledig omkeerbaar. Als de concentratie H
S lager wordt (H
S-desorbtie)
2
2
wordt de weerstand tussen de elektroden hoger.
57
57
Advertenties
Inhoudsopgave
