Inhoud
Functies
• Geavanceerd UHC-MOS enkel push-pull circuit
De nieuwe generatie UHC-MOS FET wordt gebruikt voor de uitvoer van
de eindversterker. De richtlijn voor het vermogen is verhoogd van 150
Watt naar 260 Watt.
De aan temperatuurswisselingen onderhevige stabiliteit van de werking
wordt verbeterd door het gebruik van de dual FET selected first stage
voor het voltageversterkerstadium. De fase-eigenschappen zijn daarbij
verbeterd tot het hoge-bereik dankzij het gebruik van het cascade
bootstrap circuit.
• Stroomtoevoer
Voor een optimaal gebruik van het geavanceerde UHC-MOS enkel push-
pull circuit, bestaat deze krachtige stroomtoevoer uit een LC-bevestiging
dubbele transformator, schottky barrier diodes en een aangepast
bloktype condensator voor geluid van hoogwaardige kwaliteit.
• Phone Equalizer
Ook liefhebbers van analoge grammofoonplaten zullen tevreden
zijn omdat het Phono Equalizer circuit voor de FET-ingang MM/MC
ondersteunt.
Voorpaneel
Achterpaneel
Aansluitingen
Weergave
Afstandsbediening
Instellingen
• Pre Out
Een Pre Out aansluiting is aanwezig voor uitbreiding van het systeem
met bijvoorbeeld een andere eindversterker voor het aandrijven van
een dubbele versterker met een luidspreker die dubbele bedrading
ondersteunt of het toevoegen van een subwoofer.
• Gebruik van een grote potentiometer met gemotoriseerde functie
Dit toestel gebruikt een grote potentiometer die normaliter voor
geïntegreerde versterkers van hogere kwaliteit wordt gebruikt.
• Ontwerp voor onderdrukken van resonantie
Effecten van trillingen op de geluidskwaliteit van dit toestel zijn
aanzienlijk minder door resonantiepunten te verdelen middels variatie
van de configuraties van de vinnen in de hittebak en tevens door het
zwaartepunt van het eindversterkerblok te verlagen.
5
Index
Tips
Appendix