13 Bijlage
Reactietijd transistoruitgang bij schakel-
relevante verandering van de proces-
grootheid totaal
Demping (63 % van de ingangsgroot-
heid)
Referentieomstandigheden en invloedsgrootheden (conform DIN EN 60770-1)
Referentie-omstandigheden conform DIN EN 61298-1
Ʋ Temperatuur
Ʋ Relatieve luchtvochtigheid
Ʋ Luchtdruk
Bepaling karakteristiek
Karakteristiek
Referentie inbouwpositie
Invloed inbouwpositie
Meetafwijking (conform IEC 60770)
Geldt voor de 4 ... 20 mA-stroomuitgang en is gerelateerd aan het ingestelde meetgebied. Turn
down (TD) is de verhouding tussen het nominale meetbereik en het ingestelde meetgebied.
Nauwkeurigheidsklasse
0,3 %
Invloed van de medium- resp. omgevingstemperatuur
Gemiddelde temperatuurcoëfficiënt van het nulsignaal
Ʋ In gecompenseerd temperatuurbereik
10)
Ʋ Buiten het gecompenseerde tempera-
tuurbereik typisch
0 ... +100 °C (+32 ... +212 °F)
10)
44
≤ 10 ms
0 ... 9 s, instelbaar
+18 ... +30 °C (+64 ... +86 °F)
45 ... 75 %
860 ... 1060 mbar/86 ... 106 kPa (12.5 ... 15.4 psi)
Grenspuntinstelling conform IEC 61298-2
Lineair
Staand, meetmembraan wijst naar beneden.
≤ 5 mbar/0,5 kPa (0.073 psig)
Alineariteit, hysterese en
niet-herhaalbaarheid bij TD 1 : 1
tot 5 : 1
< 0,3 %
< 0,15 %/10 K
0,3 %/10 K
VEGABAR 29 • Driedraads 1 x transistor of 4 ... 20 mA
Alineariteit, hysterese en
niet-herhaalbaarheid bij TD > 5 : 1
< 0,06 % x TD