Juni 2016
5. De Ex ia-versie van model 5400 kan worden voorzien van een "Ex ib" gecertificeerde
veiligheidsbarrière. Het volledige circuit wordt dan als type "Ex ib" beschouwd. Het type
dat de voorkeur heeft, "ia" of "ib", moet worden aangegeven op het markeringslabel zoals
gespecificeerd in de instructies voor de transmitter. Het antennegedeelte in het procesvat
wordt geclassificeerd als EPL Ga en is elektrisch gescheiden van het "Ex ia"- of "ib"-circuit.
6. 1/2" NPT schroefdraad moet worden afgedicht voor bescherming tegen het
binnendringen van stof en water, IP 66, IP 67 of "Ex t", EPL Da of Db is vereist.
FISCO-parameters
N7 IECEx type N
Certificaat:
Normen:
Markeringen:
Speciale voorwaarden voor veilig gebruik (X):
1. De transmittercircuits kunnen de test op diëlektrische weerstand van 500 V a.c. volgens
EN 60079-11 clausule 6.3.13 niet weerstaan als gevolg van met de aarde verbonden
instrumenten voor overspanningsonderdrukking. Bij de installatie moeten gepaste
maatregelen worden overwogen.
Veiligheidsparameters HART
Veiligheidsparameters Fieldbus
7.9 Brazilië
E2 INMETRO drukvast
Certificaat:
Normen:
Markeringen:
Speciale voorwaarden voor veilig gebruik (X):
1. Zie certificaat voor speciale voorwaarden.
I2 INMETRO intrinsieke veiligheid
Certificaat:
Normen:
Markeringen:
Ui
17,5 V
IECEx BAS 10.0005X
IEC 60079-0:2011, IEC 60079-11:2011, IEC 60079-15:2010,
IEC 60079-31:2010
Ex nA IIC T4 Gc (-50 °C Ta +60 °C /+70 °C)
Ex ic IIC T4 Gc (-50 °C Ta +60 °C /+70 °C)
Ex tc IIIC T69 °C /T79 °C (-50 °C Ta +60 °C /+70 °C)
42,4 V
32 V
NCC 11.2256 X
ABNT NBR IEC 60079-0:2013, ABNT NBR IEC 60079-1:2009 + errata
1:2011, ABNT NBR IEC 60079-11:2009, ABNT NBR IEC 60079-26:2008 +
errata 1:2009, ABNT NBR IEC 60079-27:2010,
ABNT NBR IEC 60079-31:2011
Ex d ia IIC T4 Ga/Gb (- 40 °C T
Ex ta IIIC T69 °C/T79 °C (- 50 °C/-40 °C T
IP 66/IP67
NCC 14.2256 X
ABNT NBR IEC 60079-0:2013, ABNT NBR IEC 60079-1:2009 + errata
1:2011, ABNT NBR IEC 60079-11:2009, ABNT NBR IEC 60079-26:2008 +
errata 1:2009, ABNT NBR IEC 60079-27:2010,
ABNT NBR IEC 60079-31:2011
Ex ia IIC T4 Ga (- 50 °C T
Ex ib IIC T4 Ga/Gb (- 50 °C T
Ex ta IIIC T69 °C/T79 °C (- 50 °C T
Ii
380 mA
5,32 W
Ui
Ii
Pi
23 mA
1 W
21 mA
0,7 W
+60 °C /+70 °C)
omg
omg
+ 60 °C /+ 70 °C)
omg
+ 60 °C /+ 70 °C)
omg
+60 °C /+70 °C)
omg
Snelstartgids
Pi
Ci
4,95 nF
Ci
7,25 nF
Te verwaarlozen
4,95 nF
Te verwaarlozen
+60 °C /+70 °C)
Li
< 1 μH
Li
29