j) Basis-emitter spanningsval
De DC-karakteristiek van de basis emitter-verbinding wordt ge-
toond, zowel voor de doorlaatspanningsval van de basis-emitter
alsook de voor de meting gebruikte basisstroom.
De spanningsval van de basis-emitter
kan van nut zijn bij het identificeren
van silicium- of germanium-apparaten.
Germanium-apparaten kunnen basis
emitter-spanningen tot 0,2 V vertonen,
silicium-types geven waarden van on-
geveer 0,7 V en Darlington-transistoren
kunnen vanwege de vele gemeten basis
emitter-overgangen een waarde van on-
geveer 1,2 V vertonen.
k) Collector lekstroom
De collectorstroom, die bij lopende basisstroom ontstaat, wordt
ook wel lekstroom genoemd. De meeste moderne transistoren
vertonen ook bij zeer hoge collector emitter-spanningen extreem
lage lekstroomwaarden, vaak onder 1 µA.
Oudere
germanium-types
kunnen
echter in het bijzonder bij hoge tempe-
raturen (lekstroom kan zeer tempera-
tuurafhankelijk zijn) lijden onder sterke
collector-lekstroom.
Als uw transistor een silicium-type is, kunt u met een lekstroom van
ongeveer 0,00 mA rekenen, tenzij de transistor defect is.
22