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Beschikbare talen
Beschikbare talen
4.3 Widerstand
Bereich
400.0
4.000k
40.00k
400.0k
4.000M
40.00M
Überlastungsschutz: 250V DC oder 150V AC rms
Spannung für offenen Stromkreis: ± 250mV
4.4 Dioden
Bereich
DC-Durchlassstrom: ± 1mA
DC-Sperrspannung: ± 1.5V
Überlastungsschutz: 250V DC oder 150V AC rms
4.5 Durchgang
Bereich
Leerlaufspannung: ± 0.5V
Überlastungsschutz: 250V DC oder 250V AC rms
4.6 Transistor
Bereich
hFE
4.7 Kapazität
Bereich
4nF
40nF
400nF
4 F
40 F
200 F
Überlastungsschutz: 250V DC oder 250V AC rms
DVM68N
Auflösung
0.1
1
10
100
1k
10k
Auflösung
1mV
Umschreibung
der hFE-Wert (0 ~ 1000) des
geprüften Transistors (alle
Typen) erscheint im Display
Auflösung
1pF
10pF
100pF
1nF
10nF
100nF
Genauigkeit
± (1.2% + 2 Digits)
± (2.0% + 5 Digits)
Die Vorwärtsspannung der
Diode erscheint im Display
akustisches Warnsignal
≤ 50
Testbedingungen
Basisstrom ± 10 A, Vce ± 2.8V
Genauigkeit
± (5.0% + 5 Digits)
± (3.0% + 3 Digits)
41
Funktion
VELLEMAN
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