12 Bijlage
Afwijking op stroomuitgang door sterke,
hoogfrequente elektromagnetische vel-
den in het kader van de EN 61326-1
Meetafwijking (conform IEC 60770-1)
Geldt voor digitale signaaluitgang (HART, Profibus PA, Foundation Fieldbus) en voor de analoge
4 ... 20 mA-stroomuitgang en heeft betrekking op het ingestelde meetgebied. Turn down (TD) is de
verhouding nom. meetbereik/ingesteld meetgebied.
Nauwkeurigheids-
klasse
0,2 %
Invloed van de medium- resp. omgevingstemperatuur
Thermische verandering nulsignaal en uitgangsbereik door mediumtemperatuur
Geldt voor digitale signaaluitgang (HART, Profibus PA, Foundation Fieldbus) en voor de analoge
4 ... 20 mA-stroomuitgang en heeft betrekking op het ingestelde meetgebied. Turn down (TD) is de
verhouding nom. meetbereik/ingesteld meetgebied.
Gemiddelde temperatuurcoëffici-
ent nulsignaal
Turn down 1 : 1
Turn down 1 : 1 tot 5 : 1
Turn down tot 10 : 1
Thermische verandering stroomuitgang door omgevingstemperatuur
Geldt bovendien voor de analoge 4 ... 20 mA-stroomuitgang en heeft betrekking op het ingestelde
meetgebied.
Thermische verandering stroomuitgang
Fig. 44: Thermische verandering stroomuitgang
Extra temperatuurinvloed door scheidingsmembraan
De specificaties zijn gerelateerd aan het membraanmateriaal 316L en scheidingsmembraanvloei-
stof siliconen olie. Deze zijn allen bedoeld als inschatting. De werkelijke waarden hangen af van de
diameter, het materiaal en de dikte van het membraan en van de scheidingsmembraanvloeistof.
Deze staan op aanvraag ter beschikking.
74
Alineariteit, hysterese en niet-herhaal-
baarheid bij TD 1 : 1 tot 5 : 1
< 0,2 %
Binnen het gecompenseerde
temperatuurbereik 10 ... +70 °C
(+50 ... +158 °F)
< 0,05 %/10 K
< 0,1 %/10 K
< 0,15 %/10 K
0,3 %
0,15 %
-40°C
-20°C
-0,15 %
-0,3 %
< ±150 µA
Alineariteit, hysterese en niet-herhaal-
baarheid bij TD > 5 : 1
< 0,04 % x TD
< 0,05 %/10 K, max. < 0,15 %, telkens bij -40 ... +80 °C
(-40 ... +176 °F)
40°C
60°C
20°C
Buiten het gecompenseerde tem-
peratuurbereik
typ. < 0,05 %/10 K
-
-
80°C
VEGABAR 81 • 4 ... 20 mA/HART